SSD NVMe 1TB Samsung MZ-VAP1T0BW | PCIe 5.0 x4 | M.2 2280 | Read: 14.700 MB/s / Write:13.300 MB/s

Kích thước: M.2 2280

Giao diện: PCIe Gen5.0 x4, NVMe 2.0

Dung lượng: 1TB

Tốc độ đọc/ghi (up to ): 14,700 MB/s - 13,300 MB/s

Tốc độ đọc/ghi 4K (4KB, QD32) up to: 1,850,000 IOPS - 2,600,000 IOPS

Kiểu Flash: Samsung V-NAND TLC

SSD NVMe 1TB Samsung MZ-VAP1T0BW | PCIe 5.0 x4 | M.2 2280 | Read: 14.700 MB/s / Write:13.300 MB/s

Name: SSD NVMe 1TB Samsung MZ-VAP1T0BW | PCIe 5.0 x4 | M.2 2280 | Read: 14.700 MB/s / Write:13.300 MB/s
Brand: Samsung
Rating: 5 (1 reviews)

(0 đánh giá)

Thương hiệu: Samsung

SKU: SSD Samsung - 1TB - 9100PRO (M2) - GEN5

5.155.000 đ Giá đã VAT +8%
4.773.148 đ Giá chưa VAT -8%

Mua ngay Thêm vào giỏ hàng

Chính sách bán hàng

Miễn phí giao hàng từ đơn 10 triệu đối với tuỳ loại mặt hàng. Xem chi tiết

Cam kết hàng chính hãng 100%

Đổi trả trong vòng 3 ngày đối với hàng còn nguyên tem. Xem chi tiết

Đặt hàng trên website Quý Khách vui lòng chủ động liên hệ và thực hiện thanh toán đặt cọc cho giá trị đơn đặt hàng.

Dịch vụ khác

Gói dịch vụ bảo hành/ Sửa chữa tận nơi.Xem chi tiết

Sản phẩm còn hàng tại:

25 Bàu Cát 6, Phường 14, Tân Bình, Thành phố Hồ Chí Minh

Liên hệ kinh doanh

Sale dự án: 0779.155.688

Sale bán lẻ: 0901.8080.59

Hỗ trợ và tư vấn nhanh: 0901.8080.59

Được hỗ trợ tốt nhất. Hãy gọi
Tổng đài TIN HỌC NLT

0901.8080.59

HOẶC

Chat hỗ trợ trực tuyến

CHAT VỚI CHÚNG TÔI

Khách hàng chấm điểm, đánh giá, nhận xét

0.0

5

0 Đánh giá
4

0 Đánh giá
3

0 Đánh giá
2

0 Đánh giá
1

0 Đánh giá

Viết nhận xét của bạn

Thông số kỹ thuật

TÊN GỌI	DIỄN GIẢI
Thương hiệu	Samsung
Mã sản phẩm	MZ-VAP1T0BW
Dung lượng	1TB (1GB = 1 tỷ byte theo IDEMA, dung lượng thực tế ít hơn)
Chuẩn giao tiếp	PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0
Form Factor	M.2 (2280)
Kích thước	80,15 × 22,15 × 2,38 mm
Trọng lượng	Tối đa 9 g
Bộ nhớ lưu trữ	Samsung V-NAND TLC
Bộ điều khiển	Samsung sản xuất nội bộ
Bộ nhớ Cache	1GB DDR4X SDRAM công suất thấp
Tốc độ đọc tuần tự	Lên tới 14.700 MB/s
Tốc độ ghi tuần tự	Lên tới 13.300 MB/s
Tốc độ đọc ngẫu nhiên	Lên tới 1.850.000 IOPS
Tốc độ ghi ngẫu nhiên	Lên tới 2.600.000 IOPS
Tiêu thụ điện năng	Đọc 7,6 W / Ghi 7,2 W (Trung bình); Không tải: 4 mW; Chờ: 3,3 mW
Điện áp	3,3 V ± 5%
Độ bền (MTBF)	1,5 triệu giờ
Nhiệt độ hoạt động	0 – 70 ℃
Khả năng chịu va chạm	1.500 G, 0,5 ms (nửa chu kỳ hình sin)
Tính năng hỗ trợ	TRIM, S.M.A.R.T, Garbage Collection, AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
Phần mềm	Samsung Magician (quản lý SSD)
Bảo hành	5 năm hoặc 600TBW

Xem thêm cấu hình chi tiết +